IRF5210STRRPBF參數(shù)：MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)設(shè)計資源： IRF5210SPBFSaberModel IRF5210SPBFSpiceModel標(biāo)準(zhǔn)包裝：800系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：38A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：60毫歐@38A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：230nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2780pF@25V功率-最大值：3.1W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：D2PAK
