IRF5210LPBF參數(shù)：MOSFET P-CH 100V 38A TO-262
類別：分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)標準包裝：50系列：HEXFET®包裝：管件FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：38A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：60毫歐@38A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：230nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2780pF@25V功率-最大值：3.1W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應商器件封裝：TO-262
