IRF3709ZCSTRL參數(shù):MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單設計資源: IRF3709ZCLSaberModel IRF3709ZCLSpiceModel標準包裝:800系列:HEXFET®包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):87A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):6.3毫歐@21A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):2.25V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):26nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):2130pF@15V功率-最大值:79W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應商器件封裝:D2PAK