IRF3703PBF參數(shù):MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)標準包裝:50系列:HEXFET®包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):210A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):2.8毫歐@76A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):209nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):8250pF@25V功率-最大值:3.8W安裝類型:通孔封裝:TO-220-3供應商器件封裝:TO-220AB