IRF3205STRLPBF參數(shù):MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)設(shè)計資源: IRF3205SPBFSaberModel IRF3205SPBFSpiceModel標(biāo)準包裝:800系列:HEXFET®包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準漏源極電壓(Vdss):55V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):110A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):8毫歐@62A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):146nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):3247pF@25V功率-最大值:200W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:D2PAK