IRF1503LPBF參數(shù):MOSFET N-CH 30V 75A TO-262
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單設(shè)計資源: IRF1503LPBFSaberModel IRF1503LPBFSpiceModel標(biāo)準(zhǔn)包裝:50系列:HEXFET®包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):75A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):3.3毫歐@140A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):200nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):5730pF@25V功率-最大值:200W安裝類型:通孔封裝:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA供應(yīng)商器件封裝:TO-262