IRF1405ZSTRL-7P參數(shù):MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:800系列:HEXFET®包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss):55V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):120A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.9 毫歐 @ 88A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):230nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):5360pF @ 25V功率 - 最大值:230W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB供應(yīng)商器件封裝:D2PAK(7-Lead)