IRF1405LPBF參數(shù):MOSFET N-CH 55V 131A TO-262
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)標(biāo)準(zhǔn)包裝:50系列:HEXFET®包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):55V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):131A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):5.3毫歐@101A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):260nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):5480pF@25V功率-最大值:200W安裝類型:通孔封裝:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I²Pak,TO-262AA供應(yīng)商器件封裝:TO-262