IRF1324S-7PPBF參數(shù):MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)設計資源: IRF1324S-7PPBFSaberModel IRF1324S-7PPBFSpiceModel標準包裝:50系列:HEXFET®包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):24V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):240A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):1毫歐@160A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):252nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):7700pF@19V功率-最大值:300W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-7,D²Pak(6引線+接片),TO-263CB供應商器件封裝:D2PAK(7-Lead)