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IRF1018ESTRLPBF參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)標(biāo)準(zhǔn)包裝：800系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：79A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8.4毫歐@47A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@100µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：69nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2290pF@50V功率-最大值：110W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：D2PAK
