IRF1018EPBF參數(shù):MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)標準包裝:50系列:HEXFET®包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):60V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):79A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):8.4毫歐@47A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V@100µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):69nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):2290pF@50V功率-最大值:110W安裝類型:通孔封裝:TO-220-3供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB