IRF1010EZPBF參數(shù):MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)設計資源: IRF1010EZSaberModel IRF1010EZSpiceModel標準包裝:50系列:HEXFET®包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):60V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):75A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):8.5毫歐@51A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V@100µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):86nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):2810pF@25V功率-最大值:140W安裝類型:通孔封裝:TO-220-3供應商器件封裝:TO-220AB