IRF1010ESTRLPBF參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)標準包裝：800系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：84A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：12毫歐@50A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：130nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3210pF@25V功率-最大值：200W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：D2PAK
