IRF1010EPBF
PDF資料下載

IRF1010EPBF參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
設計資源： IRF1010EPBFSaberModel IRF1010EPBFSpiceModel
標準包裝：50
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：84A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：12毫歐@50A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：130nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3210pF@25V
功率-最大值：200W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應商器件封裝：TO-220AB