IRC640PBF參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖： IRCSeriesSide標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：HEXFET®包裝：管件FET類(lèi)型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：電流感測(cè)漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：18A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：180毫歐@11A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：70nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1300pF@25V功率-最大值：125W安裝類(lèi)型：通孔封裝：TO-220-5供應(yīng)商器件封裝：TO-220-5
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