IPP80N04S2-H4參數(shù):MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:500系列:OptiMOS™包裝:管件FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss):40V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):80A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):4 毫歐 @ 80A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):148nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4400pF @ 25V功率 - 最大值:300W安裝類型:通孔封裝:TO-220-3供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3