IPP054NE8N G參數(shù):MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation11/Dec/2009標準包裝:500系列:OptiMOS™包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):85V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):100A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):5.4毫歐@100A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):180nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):12100pF@40V功率-最大值:300W安裝類型:通孔封裝:TO-220-3供應商器件封裝:PG-TO220-3