IPL60R299CP參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：CoolMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：650V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：11.1A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：299 毫歐 @ 6.6A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 440µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：22nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1100pF @ 100V功率 - 最大值：96W安裝類型：表面貼裝封裝：4-TSFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：PG-VSON-4
