IPI90R800C3參數(shù):MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters標(biāo)準(zhǔn)包裝:500系列:CoolMOS™包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):900V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):6.9A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):800毫歐@4.1A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):3.5V@460µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):42nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):1100pF@100V功率-最大值:104W安裝類型:通孔封裝:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA供應(yīng)商器件封裝:PG-TO262-3