IPI80N06S4L-05參數(shù):MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:500系列:OptiMOS™包裝:管件FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):80A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.1 毫歐 @ 80A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 60µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):110nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):8180pF @ 25V功率 - 最大值:107W安裝類型:通孔封裝:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I²Pak,TO-262AA供應(yīng)商器件封裝:PG-TO262-3