IPI80N06S3L-06
PDF資料下載

IPI80N06S3L-06參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation22/Jul/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝：500
系列：OptiMOS™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：55V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：80A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：5.9毫歐@56A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.2V@80µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：196nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：9417pF@25V
功率-最大值：136W
安裝類型：通孔
封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO262-3