IPI80N06S3-05參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation22/Jul/2010標(biāo)準(zhǔn)包裝：500系列：OptiMOS™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：55V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：80A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：5.4毫歐@63A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@110µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：240nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：10760pF@25V功率-最大值：165W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝：PG-TO262-3
