IPI80N04S2-04參數(shù):MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
類別:分立半導體產品-FET - 單標準包裝:500系列:OptiMOS™包裝:管件FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標準漏源極電壓 (Vdss):40V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):80A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):3.7 毫歐 @ 80A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):170nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5300pF @ 25V功率 - 最大值:300W安裝類型:通孔封裝:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA供應商器件封裝:PG-TO262-3