<ul id="ya0ok"></ul>
IPI65R660CFD參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 6.0A TO262
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：500系列：CoolMOS™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：650V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：6A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：660 毫歐 @ 2.1A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 200µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：22nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：615pF @ 100V功率 - 最大值：62.5W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝：PG-TO262-3
<ul id="eg622"></ul>
