IPI05CN10N G參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
類別：分立半導體產品-FET - 單產品變化通告： ProductDiscontinuation11/Dec/2009標準包裝：500系列：OptiMOS™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：100A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：5.4毫歐@100A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：181nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：12000pF@50V功率-最大值：300W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應商器件封裝：PG-TO262-3
