IPG20N06S2L-35參數(shù):MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
類別:分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝:5,000系列:OptiMOS™包裝:帶卷 (TR)FET 類型:2 個 N 溝道(雙)FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):55V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):20A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 15A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 27µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):23nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):790pF @ 25V功率 - 最大值:65W安裝類型:表面貼裝封裝:8-PowerTDFN供應商器件封裝:PG-TDSON-8-4(5.15x6.15)