IPF04N03LA參數(shù):MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation07/Mar/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:OptiMOS™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):25V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):50A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):3.8毫歐@50A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):2V@30µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):41nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):5199pF@15V功率-最大值:115W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-252-3,DPak(2引線+接片),SC-63供應(yīng)商器件封裝:P-TO252-3