IPD60R950C6參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters標準包裝：2,500系列：CoolMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4.4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：950毫歐@1.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.5V@130µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：13nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：280pF@100V功率-最大值：37W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應商器件封裝：PG-TO252-3
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