IPD60R1K4C6參數(shù):MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊: CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters標準包裝:2,500系列:CoolMOS™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):600V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):3.2A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):1.4歐姆@1.1A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):3.5V@90µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):9.4nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):200pF@100V功率-最大值:28.4W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-252-3,DPak(2引線+接片),SC-63供應(yīng)商器件封裝:PG-TO252-3