IPD60R450E6參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters標準包裝：2,500系列：CoolMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：9.2A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：450毫歐@3.4A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.5V@280µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：28nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：620pF@100V功率-最大值：74W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
