IPD50R500CE參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單應(yīng)用說明： 500VCoolMOSCEApplicationNote標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：CoolMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：超級結(jié)漏源極電壓(Vdss)：500V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：7.6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：500毫歐@2.3A，13V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.5V@200µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：18.7nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：433pF@100V功率-最大值：57W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
