IPD50R280CE參數(shù):MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單應(yīng)用說明: 500VCoolMOSCEApplicationNote標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:CoolMOS™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:超級(jí)結(jié)漏源極電壓(Vdss):500V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):13A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):280毫歐@4.2A,13V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):3.5V@350µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):32.6nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):773pF@100V功率-最大值:92W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-252-3,DPak(2引線+接片),SC-63供應(yīng)商器件封裝:PG-TO252-3