IPD16CNE8N G參數(shù):MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation11/Dec/2009標準包裝:2,500系列:OptiMOS™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):85V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):53A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):16毫歐@53A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V@61µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):48nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):3230pF@40V功率-最大值:100W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-252-3,DPak(2引線+接片),SC-63供應商器件封裝:PG-TO252-3