IPD12CNE8N G
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IPD12CNE8N G參數(shù)：MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation11/Dec/2009
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：85V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：67A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：12.4毫歐@67A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@83µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：64nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：4340pF@40V
功率-最大值：125W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3