IPD068N10N3 G參數(shù):MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:OptiMOS™包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss):100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):90A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):6.8 毫歐 @ 90A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 90µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):68nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4910pF @ 50V功率 - 最大值:150W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63供應(yīng)商器件封裝:PG-TO252-3