IPD034N06N3 G參數(shù):MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:OptiMOS™包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss):60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):100A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.4 毫歐 @ 100A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 93µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):130nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):11000pF @ 30V功率 - 最大值:167W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63供應(yīng)商器件封裝:PG-TO252-3