IPB60R380C6參數(shù):MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊: CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters標準包裝:1,000系列:CoolMOS™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):600V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):10.6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):380毫歐@3.8A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):3.5V@320µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):32nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):700pF@100V功率-最大值:83W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-2