IPB60R125CP參數(shù):MOSFET N-CH 600V 25A TO263
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000系列:CoolMOS™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):600V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):25A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):125毫歐@16A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):3.5V@1.1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):70nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):2500pF@100V功率-最大值:208W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3