IPB50R199CP參數(shù)：MOSFET N-CH 550V 17A TO-263
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters標準包裝：1,000系列：CoolMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：550V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：17A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：199毫歐@9.9A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.5V@660µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：45nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1800pF@100V功率-最大值：139W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：PG-TO263-3
