IPB08CN10N G參數(shù):MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation11/Dec/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000系列:OptiMOS™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):100V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):95A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):8.2毫歐@95A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V@130µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):100nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):6660pF@50V功率-最大值:167W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3