IPB070N06L G參數(shù):MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation11/Dec/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000系列:OptiMOS™包裝:帶卷(TR)FET類(lèi)型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss):60V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):80A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):6.7毫歐@80A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2V@150µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):126nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):4300pF@30V功率-最大值:214W安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線(xiàn)+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3