IPB05N03LA參數(shù):MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation04/Jun/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000系列:OptiMOS™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss):25V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):80A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):4.6毫歐@55A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2V@50µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):25nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):3110pF@15V功率-最大值:94W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3