IPB025N08N3 G參數(shù):MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
類別:分立半導體產品-FET - 單標準包裝:1,000系列:OptiMOS™包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標準漏源極電壓 (Vdss):80V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):120A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 100A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 270µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):206nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):14200pF @ 40V功率 - 最大值:300W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB供應商器件封裝:PG-TO263-2