IPB023N06N3 G參數：MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
類別：分立半導體產品-FET - 單產品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012標準包裝：1,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：140A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.3毫歐@100A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@141µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：198nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：16000pF@30V功率-最大值：214W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-7，D²Pak（6引線+接片），TO-263CB供應商器件封裝：PG-TO263-7
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