IPA60R299CP參數:MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
類別:分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊: CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters標準包裝:500系列:CoolMOS™包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):600V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):11A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):299毫歐@6.6A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):3.5V@440µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):29nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):1100pF@100V功率-最大值:33W安裝類型:通孔封裝:TO-220-3整包供應商器件封裝:PG-TO-220-FP