IGB01N120H2參數(shù):IGBT 1200V 1A 28W TO263-3-2
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000系列:-包裝:帶卷 (TR)IGBT 類(lèi)型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on):2.8V @ 15V,1A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):3.2ACurrent - Collector Pulsed (Icm):3.5A功率 - 最大值:28WSwitching Energy:140µJ輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)Gate Charge:8.6nCTd (on/off) A 25°C:13ns/370nsTest Condition:800V, 1A, 241 歐姆, 15V反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3-2