HUFA75639S3ST參數(shù):MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNObsolescence: MultipleDevices13/Aug/2010標(biāo)準(zhǔn)包裝:800系列:UltraFET™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):100V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):56A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):25毫歐@56A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):130nC@20V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):2000pF@25V功率-最大值:200W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:D²PAK