HUF75631S3ST參數(shù):MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標準包裝:800系列:UltraFET™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):100V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):33A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):40毫歐@33A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):79nC@20V不同Vds時的輸入電容(Ciss):1220pF@25V功率-最大值:120W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應商器件封裝:TO-263(D2Pak)