HGTP10N120BN參數(shù):IGBT NPT N-CH 1200V 35A TO-220AB
類別:分立半導體產品-IGBT - 單路產品培訓模塊: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標準包裝:400系列:-包裝:管件IGBT類型:NPT電壓-集射極擊穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic時的?Vce(on):2.7V@15V,10A電流-集電極(Ic)(最大值):35ACurrent-CollectorPulsed(Icm):80A功率-最大值:298WSwitchingEnergy:0.32mJ(開),0.80mJ(關)輸入類型:標準GateCharge:100nCTd(on/off)A25°C:23ns/165nsTestCondition:960V,10A,10歐姆,15V反向恢復時間(trr):-封裝:TO-220-3安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB