HGTD1N120BNS9A
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HGTD1N120BNS9A參數(shù)：IGBT NPT N-CH 1200V 5.3A TO252AA

類別：分立半導體產(chǎn)品-IGBT - 單路
產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
IGBT類型：NPT
電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic時的?Vce(on)：2.9V@15V，1A
電流-集電極(Ic)（最大值）：5.3A
Current-CollectorPulsed(Icm)：6A
功率-最大值：60W
SwitchingEnergy：70µJ(開),90µJ(關)
輸入類型：標準
GateCharge：14nC
Td(on/off)A25°C：15ns/67ns
TestCondition：960V,1A,82歐姆,15V
反向恢復時間(trr)：-
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：TO-252AA